728x90 반응형 4나노 베이스 다이1 삼성 HBM4 완전 해부: AI 반도체 왕좌를 노리는 '1c D램 + 4nm' 기술의 모든 것 삼성 HBM4 기술 심층 분석: AI 시대, 메모리 반도체의 게임 체인저가 될 수 있을까?Key Takeaways세계 최초 기술 융합: 6세대 1c D램과 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합한 최초의 HBM으로, 성능과 전력 효율의 동시 혁신을 목표로 합니다.압도적인 성능 목표: JEDEC 표준(8Gbps)을 46% 초과하는 최대 13Gbps의 데이터 처리 속도와 최대 3.3TB/s의 메모리 대역폭을 구현합니다.AI 워크로드 특화: HBM3E 대비 최대 2.7배 높은 대역폭으로 LLM 훈련 시간을 단축하고, 생성형 AI 추론 처리량을 극대화하도록 설계되었습니다.양산 및 원가 리스크: 최선단 공정 2개를 동시에 적용함에 따른 초기 수율 문제와 원가 상승은 HBM4의 시장 확산에 주요 변수로 작용할 전.. 2026. 2. 15. 이전 1 다음 반응형
